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  • 檢索結果:共4筆資料 檢索策略: "Sheng-Lyang Jang".ecommittee (精準) and year="101"


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    穿隧型場效多晶矽薄膜電晶體之通道工程
    • 電子工程系 /101/ 碩士
    • 研究生: 許家偉 指導教授: 莊敏宏
    • 隨者電子產業的進步,傳統型金氧半電晶體在微型化之後面臨一些可靠度問題,例如短通道效應、熱載子效應、汲極引起位障降低效應、閘極引起汲極漏電流效應。然而,在高度微型化的過程中,穿隧型場效電晶體可以提供較…
    • 點閱:280下載:4

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    橫向絕緣閘極功率電晶體之結構設計
    • 電子工程系 /101/ 碩士
    • 研究生: 羅明揚 指導教授: 莊敏宏
    • 本論文提出了一種新型橫向結構之絕緣閘極功率元件,其設計包含了傳統矽晶圓(bulk wafer)與絕緣層上覆矽晶圓(SOI wafer)兩種結構。模擬結果顯示,相較於傳統功率金屬氧化物半導體場效電晶體…
    • 點閱:107下載:5

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    耦合器於矽線波導光環型共振腔之研究與應用
    • 電子工程系 /101/ 碩士
    • 研究生: 陳柏延 指導教授: 徐世祥
    • 自從光電積體電路被廣泛應用之後,就有許多波導材料被提出來,其中又以絕緣層上覆矽(Silicon on Insulator, SOI)最常被使用,因為此種材料有著低成本、高效率、高品質等特性,且絕緣層…
    • 點閱:340下載:4
    • 全文公開日期 2018/07/09 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

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    馬克-詹德方向耦合器應用於光纖通訊系統中光功率擷取監測與差動相位偏移調變光解調功能
    • 電子工程系 /101/ 碩士
    • 研究生: 王志銘 指導教授: 徐世祥
    • 絕緣層上覆矽(Silicon-on-Insulator, SOI)是近年來廣泛應用在高速且低功耗電子元件,因為具有高折射率係數可大幅縮小元件體積,同時製作方式與互補式金屬氧化物半導體(Complem…
    • 點閱:318下載:11
    • 全文公開日期 2018/07/09 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)
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